《硅集成电路工艺基础》一书是为微电子专业本科生所编写的、内容涉及硅集成电路制造工艺的教材，也可作为从事集成电路研发和生产的科技人员的参考书。本书是根据作者多年教学经验并结合当今集成电路制造中新技术及新工艺编写而成的。

本书系统讲述了硅集成电路制造中的单项工艺，内容主要包括硅的晶体结构、氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后介绍了CMOS集成电路、双极集成电路以及BiCMOS集成电路的工艺集成。此外，对新工艺、新技术、集成电路工艺技术的发展趋势以及新结构器件对集成电路制造工艺提出的新要求等方面也作了介绍。

本书系统地讲述了硅集成电路制造的基础工艺，重点放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十章，其中第一章简单地讲述了硅的晶体结构，第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺，包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后一章讲述的是工艺集成。

本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书，也可供从事集成电路制造的工艺技术人员阅读。

前言

第一章 硅的晶体结构

 1.1 硅晶体结构的特点

1.1.1 晶胞

1.1.2 原子密度

1.1.3 共价四面体

1.1.4 晶体内部的空隙

 1.2 晶向、晶面和堆积模型

1.2.1 晶向

1.2.2 晶面

1.2.3 堆积模型图

1.2.4 双层密排面

 1.3 硅晶体中的缺陷

1.3.1 点缺陷

1.3.2 线缺陷

1.3.3 面缺陷

1.3.4 体缺陷

 1.4 硅中杂质

 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度

 参考文献

第二章 氧化

第三章 扩散

第四章 离子注入

第五章 物理气相淀积

第六章 化学气相淀积

第七章 外延

第八章 光刻与刻蚀工艺

第九章 金属化与多层互连

第十章 工艺集成

附录

缩略语及物理量