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书名 氧化锌半导体材料掺杂技术与应用
分类 科学技术-工业科技-电子通讯
作者 叶志镇//吕建国//张银珠//何海平
出版社 浙江大学出版社
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简介
编辑推荐

本书系统介绍了ZnO的基本知识,同时对ZnO研究的热点领域进行了详细而深入的探讨。本书可供从事半导体材料、薄膜材料、纳米材料、功能材料及其相关器件研究等领域的科研人员、工程技术人员参考,也可作为高等院校材料、物理、化学、电子等相关专业师生的参考书籍。

内容推荐

本书介绍了氧化锌(ZnO)的掺杂技术、性能及其应用。全书共分七章,第一章概述了ZnO的结构、基本性质与制备方法,第二章介绍了ZnO的本征缺陷和非故意掺杂,第三至第六章分别介绍了ZnO的n型掺杂、p型掺杂、合金掺杂、稀磁掺杂等各种掺杂技术及其应用,第七章阐述了ZnO半导体器件的相关研究。

本书在内容上宽度和深度相结合,系统介绍了ZnO的基本知识,同时对ZnO研究的热点领域进行了详细而深入的探讨。本书理论和实践相结合,以作者多年的研究成果为基础,重点介绍了ZnO半导体薄膜材料的掺杂技术、物理基础及其应用,对ZnO纳米材料的相关内容也有所涉及,叙述了ZnO研究和开发应用领域的新概念、新进展、新成果和新技术。

本书可供从事半导体材料、薄膜材料、纳米材料、功能材料及其相关器件研究等领域的科研人员、工程技术人员参考,也可作为高等院校材料、物理、化学、电子等相关专业师生的参考书籍。

目录

第1章 ZnO概述

 §1.1 引言

 §1.2 ZnO的基本性质

 §1.3 ZnO的能带结构

 §1.4 ZnO的形态及制备技术

1.4.1 ZnO体单晶

1.4.2 ZnO薄膜

1.4.3 ZnO纳米结构

 §1.5 ZnO的发光特性

 §1.6 ZnO的缺陷与掺杂

 §1.7 ZnO的应用

参考文献

第2章 ZnO中的缺陷和非故意掺杂

 §2.1 ZnO薄膜中的层错、位错和晶界

2.1.1 ZnO薄膜的原生层错和扩展位错

2.1.2 ZnO薄膜中退火诱生层错

2.1.3 退火诱生缺陷的显微结构与形成机理

2.1.4 ZnO中的晶界

 §2.2 ZnO中的本征点缺陷

 §2.3 ZnO中绿色发光起源

 §2.4 ZnO中的氢杂质

2.4.1 氢在ZnO中作为施主

2.4.2 氢对ZnOp型掺杂的影响

参考文献

第3章 ZnO透明导电薄膜

 §3.1 Ⅲ族元素掺杂

3.1.1 B元素掺杂

3.1.2 A1元素掺杂

3.1.3 Ga元素掺杂

3.1.4 元素掺杂

3.1.5 ⅢB族元素掺杂

 §3.2 其他族元素掺杂

3.2.1 Ⅳ族元素掺杂

3.2.2 Ⅴ族元素掺杂

3.2.3 Ⅵ族元素掺杂

3.2.4 Ⅶ族元素掺杂

3.2.5 La系元素掺杂

 §3.3.6 ZnO透明导电薄膜的应用

参考文献

第4章 ZnO的p型掺杂

 §4.1 本征p型ZnO

 §4.2 Ⅰ族元素掺杂p型ZnO

4.2.1 IA族元素掺杂

4.2.2 IB族元素掺杂

 §4.3 Ⅴ族元素掺杂p型ZnO

4.3.1 N元素掺杂

4.3.2 P元素掺杂

4.3.3 As元素掺杂

4.3.4 Sb元素掺杂

 §4.4 H辅助掺杂技术

 §4.5 施主—受主共掺杂p型ZnO

4.4.1 AI-N共掺杂技术

4.4.2 Ga-N共掺杂技术

4.4.3 In-N共掺杂技术

 ……

第5章 ZnO基合金半导体

第6章 ZnO稀磁半导体

第7章 ZnO半导体器件

参考文献

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更新时间:2025/4/7 7:25:26