本书的主要内容包括:高分辨X射线衍射、光学性质检测分析、表面和薄膜成分分析、扫描探针显微学在半导体中的运用、透射电子显微学及其在半导体研究中的应用、半导体深中心的表征。以上内容包括了目前半导体材料(第三代半导体和低维结构半导体材料)物理表征的实验技术和具体应用成果。限于篇幅,不能面面俱到,所以有些实验技术本书并未包括在内,这些问题将在第一章综述里面简略阐述。本书同时包括一些近期重要文献资料和一些重要实验常数(见附录),以便读者参考、使用。
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