本书共15章，介绍了硅单晶制备；外延、氧化、溅射(蒸发)、化学气相淀积等薄膜制备技术；扩散、离子注入等掺杂技术；制版、光刻、刻蚀、CAD等图形加工技术；金属化和平坦化、组装工程、产品可靠性，以及洁净技术、去离子水制备等外围加工技术。在最后一章中还介绍了超大规模集成电路的工艺总汇。本书适合作为高职高专院校电子信息技术相关专业学生的教材，也适合作为从事微电子专业的中高级技术工人的培训教材。

本书是依据高等职业教育的特点编写的，是一本将集成电路的制造工艺原理和制造技术融为一体的教材。

由于硅器件占据了微电子产品的绝大部分领域，所以本教材以硅平面工艺为主线，同时也介绍砷化镓之类其他工艺。本书共15章，介绍了硅单晶制备；外延、氧化、溅射(蒸发)、化学气相淀积等薄膜制备技术；扩散、离子注入等掺杂技术；制版、光刻、刻蚀、CAD等图形加工技术；金属化和平坦化、组装工程、产品可靠性，以及洁净技术、去离子水制备等外围加工技术。

本书适合作为高职高专电子信息技术相关专业的教材，也适合作为从事微电子专业的中高级技术工人的培训教材。

出版说明

前言

第1章 绪论

 1.1 微电子器件工艺的发展历史

 1.2 集成电路的发展历史

 1.3 集成电路制造工艺实例

1.3.1 硅外延平面晶体管工艺流程

1.3.2 双极型集成电路生产工艺流程

1.3.3 MOS器件工艺流程

第2章 硅的晶体结构和硅单晶体制备

 2.1 硅的晶体结构

 2.2 硅晶体中的缺陷和杂质

2.2.1 点缺陷

2.2.2 线缺陷 

2.2.3 面缺陷或体缺陷 

2.2.4 硅中杂质 

 2.3 硅单晶体制备

2.3.1 多晶硅的制备 

2.3.2单晶硅的制备 

2.3.3 单晶硅性能测试

 2.4 硅单晶的加工及质量要求

2.4.1 单晶硅的切割 

2.4.2 硅单晶片的研磨 

2.4.3 硅单晶片的倒角 

2.4.4 硅单晶片的抛光 

 2.5 习题

第3章 氧化及热处理

第4章 掺杂

第5章 光刻

第6章 刻蚀

第7章 化学气相淀积

第8章 物理气相淀积

第9章 制版

第10章 金属化与平坦化

第11章 洁净技术

第12章 去离子水制备及废水处理

第13章 组装工艺

第14章 器件的可靠性

第15章 ULSI工艺总汇

附录

参考文献