本书内容丰富，围绕当代集成电路制造的基础工艺，重点介绍所涉及的基本原理，并就当前集成电路芯片制造技术的最新发展作了较为详尽的阐述,较好地反映当代集成电路制造技术的现状。书中还包含有作者多年来从事该技术领域的教学和研究所取得的诸多成果。

本书围绕当代集成电路制造的基础工艺，重点介绍所涉及的基本原理，并就当前集成电路芯片制造技术的最新发展作了较为详尽的阐述。本书可作为普通高校或职业技术院校理、工科本(专)科电子科学技术(一级学科)下微电子学与固体电子学及 微电子技术方向、集成电路设计及集成系统或微电子技术专业的专业课教材、微电子相关专业的研究生选修课教材，亦可作为集成电路芯片制造企业工程技术人员参考 书。

本书共分为十一章，第一章至第八章以叙述基本工艺原理为主，主要包括：硅材料及衬底制备；外延生长工艺原理；氧化介质薄膜生长；半导体的高温掺杂；离子注入低温掺杂；薄膜气相淀积工艺；图形光刻工艺原理；掩模制备工艺原理。第九章收入了当代诸多超大规模集成制造工艺的相关内容，并以当代超大规模集成电路所具有的小尺寸特征为切入点，围绕抑制小尺寸效应的现代工艺技术，介绍了诸多较为成熟的现代工艺技术模块(或称之为工艺组合)。系统地将这些知识点纳入超大规模集成电路制造技术的范畴，对提高现代集成电路制造技术的教学质量有着积极的意义。第十章介绍了集成电路芯片产业的生产管理、技术管理和质量管理等方面的相关知识，力图让读者对集成电路芯片产业的特征有一个整体的概念。第十一章对现代集成电路制造技术术语进行了详解，以此为知识点，加强学生对这门课程的理解。

本书内容丰富，在编写中力求做到文字简练、图文并茂、注重实际，以较好地反映当代集成电路制造技术的现状。书中还包含有作者多年来从事该技术领域的教学和研究所取得的诸多成果。例如：对半导体硅材料和硅外延生长缺陷的研究；硅<111> 外延生长原理及结晶体的扩展行为及显微形貌等相关研究成果，在国内均为首次发表。

绪论

第1章 硅材料及衬底制备

 §1．1半导体材料的特征与属性

 §1．2半导体材料硅的结构特征

 §1．3半导体单晶制备过程中的晶体缺陷

 §1．4集成电路技术的发展和硅材料的关系

 §1．5关于半导体硅材料及硅衬底晶片的制备

 §1．6半导体硅材料的提纯技术

1．6．1精馏提纯四氯化硅技术及其提纯装置

1．6．2精馏提纯四氯化硅的基本原理

 §1．7直拉法生长硅单晶

 §1．8硅单晶的各向异性特征在管芯制造中的应用

 小结

 习题与解答

 参考文献

第2章 外延生长工艺原理

 §2．1关于外延生长技术

 §2．2外延生长工艺方法概论

2．2．1典型的水平反应器硅气相外延生长系统简介

2．2．2硅化学气相淀积外延生长反应过程的一般描述

 §2．3常规硅气相外延生长过程的动力学原理

 §2．4常规硅气相外延生长过程的结晶学原理

 §2．5关于气相外延生长的工艺环境和工艺条件

2．5．1外延生长过程中的掺杂

2．5．2 外延生长速率与反应温度的关系

2．5．3外延生长层内的杂质分布

2．5．4外延生长缺陷

2．5．5外延生长之前的氯化氢气相抛光

2．5．6典型的外延生长工艺流程

2．5．7工业化外延工序的质量控制

 §2．6发生在硅气相外延生长过程中的二级效应

2．6．1外延生长过程中基片衬底杂质的再分布效应

2．6．2外延生长过程中掺入杂质的再分布

 小 结

 习题与解答

 参考文献

第3章 氧化介质薄膜生长

 §3．1氧化硅介质膜的基本结构

 §3．2二氧化硅介质膜的主要性质

 §3．3氧化硅介质膜影响杂质迁移行为的内在机理

 §3．4氧化硅介质膜的热生长动力学原理

 §3．5典型热生长氧化介质膜的常规生长模式

 小结

 习题与解答

 参考文献

第4章 半导体的高温掺杂

 §4．1固体中的热扩散现象及扩散方程

 §4．2常规高温热扩散的数学描述

 §4．3常规热扩散工艺简介

 §4．4实际扩散行为与理论分布的差异

 §4．5扩散行为的仿真及影响扩散行为的效应

 §4．6深亚微米工艺仿真系统所设置的小尺寸效应模型

 小结

 习题与解答

 参考文献

第5章 离子注入低温掺杂

 §5．1离子注入掺杂技术的特点

 §5．2关于离子注人技术的理论描述

 §5．3关于离子注入损伤

 §5．4离子注入退火

 §5．5离子注入设备

 §5．6离子注入的工艺实现

 小结

 习题与解答

 参考文献

第6章 薄膜气相淀积工艺

 §6．1常用的几种化学气相淀积方法

6．1．1常压化学气相淀积(APCVD)

6．1．2低压化学气相淀积(LPCVD)

6．1．3等离子体增强化学气相淀积(PECVD)

 §6．2 晶圆CVD加工需求最多的几种介质薄膜

6．2．1二氧化硅(Si02)介质薄膜

6．2．2多晶硅(POS)介质

6．2．3氮化硅(Si3N4)介质薄膜

 §6．3化学气相淀积(CVD)的安全性

 小结

 习题与解答

 参考文献

第7章 图形光刻工艺原理

 §7．1关于光致抗蚀剂

 §7．2常规光刻工艺原理

7．2．1涂胶

7．2．2前烘

7．2．3曝光

7．2．4显衫

7．2．5坚膜

7．2．6腐蚀

7．2．7去胶

 小结

 习题与解答

 参考文献

第8章 掩模制备工艺原理

 §8．1集成电路掩模版的制备

 §8．2光刻掩模版设计和制备的基本过程

8．2．1原图绘制

8．2．2初缩

8．2．3精缩兼分步重复

 §8．3当代计算机辅助掩模制造技术

8．3．1原图数据处理系统

8．3．2版图修改

8．3．3版图验证

8．3．4版图尺寸修正

小结

习题与解答

参考文献

第9章 超大规模集成工艺

 §9．1当代微电子技术的飞速发展与技术进步

 §9．2当代超深亚微米级层次的技术特征

 §9．3超深亚微米(VDSM)层次下的小尺寸效应

9．3．1热载流子退化效应

9．3．2短沟道效应

9．3．3漏、源穿通效应

9．3．4栽流子速度饱和效应

 §9．4典型的超深亚微米CMOS制造工艺

 §9．5超深亚微米CMOS艺技术模块简介

9．5．1CMOS体结构中的隔离工艺模块

9．5．2 CMOS体结构中阱结构形成工艺模块

9．5．3CMOS体结构中自对准硅化物形成工艺

9．5．4小尺寸MOS器件轻掺杂漏技术

9．5．5大规模集成电路多层互连技术

9．5．6集成电路互连表面的平坦化技术

 小结

 习题与解答

 参考文献

第10章 芯片产业质量管理

 §10．1质量管理理论基础

 §10．2集成电路芯片产业的生产管理模式

10．2．1管理体制的选择

10．2．2管理体制的特点

10．2．3生产计划的管理

 §10．3集成电路芯片产业的技术管理模式

 §10．4集成电路芯片产业的质量管理

 小结

 习题与解答

 参考文献

第11章 现代集成电路制造技术术语详解

附录1 现代集成电路制造技术缩略语

附录2 常用数表

 附表1 常用物理常数

 附表2 长度单位转换表

 附表3 压力单位转换表

 附表4 能量单位转换表

 附表5 力单位转换表

 附表6 净化问气体管道颜色

 附表7(a) 芯片制造常用材料的性质

 附表7(b) 芯片制造常用材料的性质

 附表8 芯片工艺线常用的清洗腐蚀剂