本书共分三部分，第1部分介绍LTPS结构，第2部分介绍低温多晶硅技术开发与现状，第3部分介绍新一代显示技术开发。本书以简明易懂的语言将低温多晶硅特性与结构及应用完整地呈现在读者面前，内容包括低温多晶硅的特性与结构，低温多晶硅的可靠性，LTPS氧化层技术，LTPS多晶硅成膜技术，LTPS离子注入技术，低温多晶硅面板开发现况，低功耗显不技术，有源有机电致发光显示技术等。可作为相关专业领域的研究开发人员、技术人员的参考用书，亦可供大学相关专业高年级学生及研究生参考。

LTPS是新一代薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的制造工艺，与传统的非晶硅显示器最大差异在于LTPS反应速度较快，且有高亮度、高清晰度等优点。

本书共分三部分，第1部分介绍LTPS结构，第2部分介绍低温多晶硅技术开发与现状，第3部分介绍新一代显示技术开发。本书以简明易懂的语言将低温多晶硅特性与结构及应用完整地呈现在读者面前，内容包括低温多晶硅的特性与结构，低温多晶硅的可靠性，LTPS氧化层技术，LTPS多晶硅成膜技术，LTPS离子注入技术，低温多晶硅面板开发现况，低功耗显不技术，有源有机电致发光显示技术等。

本书可作为相关专业领域的研究开发人员、技术人员的参考用书，亦可供大学相关专业高年级学生及研究生参考。

第1章绪论——低温多晶硅的时代

1.1概述

1.2平面显示器的分类

1.3低温多晶硅开发历史

1.4低温多晶硅的优势

1.4.1高清晰度与高开口率

1.4.2电磁干扰 

1.4.3周边驱动IC

1.4.4低功率消耗

1.4.5窄框化与高集成度

第2章低温多晶硅特性与结构

2.1概述

2.2LTPS薄膜晶体管的特性

2.2.1特性曲线

2.2.2等效载流子迁移率

2.2.3阈值电压

2.2.4亚阈值摆幅

2.2.5漏电流

2.3低温多晶硅像素的结构

2.3.1八次光刻的倒栅工艺流程

2.3.2九次光刻的顶栅工艺流程

2.3.3五次光刻的顶栅工艺流程

2.3.4内建电路架构

第3章低温多晶硅的可靠性

3.1概述

3.2 LTPS器件可靠性

3.2.1热载流子效应

3.2.2动态可靠性测试

3.2.3短沟道效应

3.2.4窄沟道效应

3.2.5驼峰效应

3.2.6扭曲效应

3.2.7自发热效应

3.2.8低频噪声特性

3.2.9辐射效应

3.3LTPS阵列可靠性

3.3.1静电泄放伤害

3.3.2环境与工艺过程中的ESD防护

3.3.3阵列与内建电路的防护

3.4阵列测试

3.4.1接触式测试

3.4.2非接触式测试

3.4.3阵列修补

第4章LTPS氧化层技术

4.1概述

4.2玻璃基板

4.2.1玻璃种类

4.2.2玻璃特性

4.3缓冲层

4.4栅绝缘层

4.4.1氧化硅层

4.4.2氮化硅层

4.4.3其他栅氧化层

4.4.4表面粗糙度

4.4.5清洗技术

4.5层间绝缘层

4.5.1上部透明导电电极结构

4.5.2平坦化工艺

4.5.3氢化工艺

第5章LTPS多晶硅成膜技术

5.1概述

5.2直接淀积型多晶硅

5.2.1触媒式化学气相淀积

5.2.2硅溅射工艺

5.3再结晶型多晶硅

5.3.1固相晶化

5.3.2金属诱导横向晶化法

5.3.3准分子激光晶化

5.4激光晶化系统

5.4.1准分子激光源

5.4.2光学与基板承载系统 

5.5多晶硅成膜机制

5.5.1部分熔融区 

5.5.2接近完全熔融区 

5.5.3完全熔融区 

5.6晶化质量的提升

5.6.1重叠照射 

5.6.2非晶硅厚度

5.6.3抗反射层 

5.6.4晶化气氛与温度

5.6.5分析工具 

5.7下一代多晶硅技术

5.7.1循序性横向晶化 

5.7.2固态激光晶化 

5.7.3连续波激光横向晶化 

5.7.4选择性扩大激光晶化

5.7.5连续硅晶界

第6章LTPS离子注人技术

6.1概述

6.2显示器用注入系统

6.2.1质量分析式离子注入

6.2.2离子云式注入机

6.2.3等离子体注入与固态扩散式

6.3漏极与源极端掺杂

6.3.1氢含量的影响

6.3.2反型注入

6.3.3交叉污染 

6.3.4光刻胶碳化效应

6.4轻掺杂漏极

6.4.1高能量注入

6.4.2低电流注入

6.5沟道掺杂

6.6离子激活工艺

6.6.1激光激活法

6.6.2快速热退火激活法

6.6.3高温热炉管激活法与自激活法

第7章低温多晶硅面板开发现况

7.1概述

7.2日本低温多晶硅的开发

7.2.1东芝(TOSHIBA)

7.2.2松下(MATSUSHITA) 

7.2.3三洋(SANYO)

7.2.4索尼(SONY)

7.2.5夏普(SHARP)

7.2.6精工爱普生(SEIKO—EPSON)

7.2.7富士通(FU儿TSU)

7.2.8 日立(HITACHI)

7.2.9 日本电器(NEC)

7.2.10三菱(MITSUBISHI)

7.3韩国低温多晶硅的开发

7.3.1 LG—Philips

7.3.2 SAMSIJNG

7.4台湾低温多晶硅的开发

第8章低功耗显示技术

8.1概述

8.2功率消耗

8.3薄膜二极管显示器

8.3.1 MIM二极管的原理与结构

8.3.2 TFD二极管的原理与结构

8.3.3二极管面板的驱动方式 

8.4反射式液晶显示器

8.4.1反射板设计

8.4.2外部补偿设计

8.4.3其他反射式显示面板 

8.5  半透式液晶显示器

8.5.1比例设计 

8.5.2彩色滤光片设计

8.5.3背光与组装模组 

8.6省电设计

8.6.1嵌入式SRAM

8.6.2嵌入式DRAM

第9章大面积低温多晶硅的挑战

9.1概述

9.2大面积玻璃基板

9.2.1电阻一电容时间延迟

9.2.2无接缝技术

9.3前段阵列工艺

9.3.1低阻值引线技术

9.3.2微细加工工艺 

9.3.3刻蚀工艺 

9.4后段液晶模组

9.4.1液晶滴注法

9.4.2集成式黑色矩阵 

9.4.3集成间隔体 

9.4.4集成彩色滤光片 

9.4.5背光模组 

9.4.6广视角 

9.5画面驱动系统

9.5.1过激励驱动

9.5.2背光源驱动

9.6大面积有源矩阵平面影像感测器

9.6.1数字x射线摄像技术

9.6.2间接式检测 

9.6.3直接式检测

9.6.4信号存储与读取电路

第10章有源有机电致发光显示技术

10.1概述

10.2 AMOEL的历史 

10.3 AMOEL驱动方式 

10.3.1无源OEL 

10.3.2低温多晶硅AMOEL

10.3.3非晶硅AMOEL

10.3.4单晶硅AMOEL

10.4 AMOEL彩色化与制造流程

10.4.1热蒸镀法

10.4.2旋转涂布法

10.4.3喷墨印刷法

10.4.4彩色滤光片

10.4.5色转换法

10.5阴阳电极特性

10.5.1阳极材料

10.5.2表面处理

10.5.3底层表面形态

10.6 OEL面板可靠性

10.6.1封装技术

10.6.2干燥材料

10.7有机发光二极管驱动设计

10.7.1下部发光型像素

10.7.2上部发光型像素

10.7.3模拟驱动设计

10.7.4数字驱动设计

第11章可弯曲低温多晶硅显示技术

11.1概述

11.2玻璃基板的限制

11.2.1塑胶基板特性

11.2.2基板形变

11.2.3可弯曲的显示媒介

11.3可弯曲有源器件

11.3.1薄膜二极管

11.3.2非晶硅晶体管

11.3.3有机薄膜晶体管

11.4可弯曲的低温多晶硅

11.4.1低温缓冲层

11.4.2多晶硅形成

11.4.3低温氧化层

11.4.4离子注入与激活

11.4.5低温透明导电电极

11.5塑胶基板转贴技术

11.5.1 SUFTLA转贴技术

11.5.2基板刻蚀与塑胶贴合技术

11.5.3流动式自行组装

第12章低温多晶硅的未来

12.1低温多晶硅技术蓝图

12.2低温多晶硅的挑战

12.3结语

附录 半导体设备暨材料协会(SEMI)标准