本书系统地讲述了硅集成电路制造的基础工艺，重点放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十章，其中第一章简单地讲述了硅的晶体结构，第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺，包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后一章讲述的是工艺集成。

本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书，也可供从事集成电路制造的工艺技术人员阅读。

本书系统地讲述了硅集成电路制造的基础工艺，重点放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十章，其中第一章简单地讲述了硅的晶体结构，第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺，包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后一章讲述的是工艺集成。

本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书，也可供从事集成电路制造的工艺技术人员阅读。

前言

第一章 硅的晶体结构

 1.l 硅晶体结构的特点

1.1.1 晶胞 

1.1.2 原子密度

1.1.3 共价四面体

1.1.4 晶体内部的空隙

 1.2 晶向、晶面和堆积模型

1.2.1 晶向

1.2.2 晶面 

1.2.3 堆积模型图

1.2.4. 双层密排面

 1.3 硅晶体中的缺陷

1.3.1 点缺陷

1.3.2 线缺陷

1.3.3 面缺陷

1.3.4 体缺陷

 1.4 硅中杂质

 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度

参考文献

第二章 氧化

 2.1 SiO2的结构及性质

2.1.1 结构

2.1.2 SiO2的主要性质 

 2.2 Si02的掩蔽作用 

2.2.1 杂质在Si02中的存在形式

2.2.2 杂质在Si02中的扩散系数

2.2.3 掩蔽层厚度的确定

……