全面覆盖量子力学基础到MOSFET及界面量子化的经典议题
为非物理、电子、材料专业的工科学生学习半导体物理扫清障碍
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书名 | 图解入门——半导体工程学精讲 |
分类 | 科学技术-工业科技-电子通讯 |
作者 | [日]原明人 |
出版社 | 机械工业出版社 |
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简介 | 编辑推荐 全面覆盖量子力学基础到MOSFET及界面量子化的经典议题 为非物理、电子、材料专业的工科学生学习半导体物理扫清障碍 内容推荐 本书首先深入探讨了量子力学基础及其在物质、能带理论、半导体和集成电路等领域的应用。从电子的波动性质、不确定性原理到量子隧穿效应,逐步揭示量子世界的奥秘。接着,通过能带理论和半导体能带结构的解析,阐明了半导体材料的电子行为。此外,还详细介绍了掺杂半导体、晶格振动以及载流子输运现象等关键概念。最后,探讨了MOS结构、场效应晶体管以及集成电路的工作原理。本书内容丰富,结构清晰,能够帮助读者深入理解量子力学在半导体技术中的重要作用。 本书适合有一定物理基础的学生和从事半导体相关工作的人员阅读。 目录 目 录 前 言 量子力学基础 ?/? 1 1-1 波的表示方式 ?/? 2 1-2 相速度与群速度 ?/? 4 1-3 电子的物质波性质 ?/? 5 1-4 不确定性原理 ?/? 7 1-5 薛定谔方程式与波函数 ?/? 8 1-6 一维方势阱 ?/? 11 1-7 自旋与泡利不相容原理 ?/? 16 1-8 三维方势阱 ?/? 17 1-9 量子隧穿效应 ?/? 19 1-10 定态微扰理论 ?/? 23 1-11 含时微扰理论 ?/? 25 章末问题 ?/? 27 从氢原子到物质 ?/? 29 2-1 氢原子 ?/? 30 2-2 氢分子 ?/? 34 2-3 由s轨道或p轨道组成的物质 ?/? 37 章末问题 ?/? 49 能带理论 ?/? 50 3-1 晶体的周期性和晶体结构 ?/? 51 3-2 金属自由电子理论 ?/? 55 3-3 布洛赫定理 ?/? 62 3-4 一维空格子的电子结构 ?/? 67 3-5 一维晶格的带隙 ?/? 68 3-6 二维和三维晶格的带隙 ?/? 71 3-7 一维强关联近似 ?/? 75 3-8 二维强关联近似 ?/? 81 章末问题 ?/? 85 半导体的能带结构 ?/? 86 4-1 强关联近似下的能带结构 ?/? 87 4-2 k?p微扰(1):带边的详细结构 ?/? 96 4-3 k?p微扰(2):基于面心立方结构空格子的计算 ?/? 99 4-4 有效质量与运动方程 ?/? 105 4-5 ?空穴 ?/? 111 4-6 本征半导体载流子浓度与温度的关系 ?/? 113 章末问题 ?/? 118 掺杂半导体 ?/? 119 5-1 施主与受主 ?/? 120 5-2 浅能级杂质中心的有效质量近似 ?/? 124 5-3 被施主杂质束缚的电子的空间分布 ?/? 129 5-4 掺杂半导体中载流子浓度与温度的关系 ?/? 133 章末问题 ?/? 136 晶格振动 ?/? 138 6-1 什么是晶格振动 ?/? 139 6-2 一维单原子晶格 ?/? 140 6-3 一维双原子晶格 ?/? 143 6-4 三维晶格振动 ?/? 148 6-5 声子 ?/? 150 6-6 晶格比热 ?/? 154 章末问题 ?/? 157 载流子输运现象 ?/? 158 7-1 欧姆定律 ?/? 159 7-2 霍尔效应 ?/? 162 7-3 迁移率的温度相关性 ?/? 165 7-4 玻尔兹曼方程 ?/? 166 7-5 散射过程的计算 ?/? 171 7-6 弛豫时间的计算 ?/? 176 章末问题 ?/? 181 半导体的光学性质 ?/? 182 8-1 物质中的电磁波 ?/? 183 8-2 带间跃迁 ?/? 184 8-3 受施主束缚电子的光激发 ?/? 193 pn结 ?/? 199 9-1 pn结的形成方法 ?/? 200 9-2 扩散电流 ?/? 200 9-3 pn结附近发生的现象 ?/? 203 9-4 热平衡状态下的pn结能带图 ?/? 207 9-5 连续性方程 ?/? 210 9-6 正向电流 ?/? 212 9-7 反向电流 ?/? 216 9-8 结电容 ?/? 218 9-9 pn结中的隧穿效应 ?/? 219 章末问题 ?/? 222 MOS结构 ?/? 223 10-1 MOS结构概述 ?/? 224 10-2 积累层、耗尽层和反型层中的电场分布及 势能分布 ?/? 225 10-3 Si表面的电子 ?/? 233 10-4 理想MOS的电容 ?/? 237 10-5 非理想MOS的情况 ?/? 239 章末问题 ?/? 241 MOS场效应晶体管 ?/? 242 11-1 MOS场效应晶体管的结构 ?/? 243 11-2 MOS场效应晶体管的工作原理(1):线性区 ?/? 243 11-3 MOS场效应晶体管的工作原理(2):一般情况下 的电流-电压特?性 ?/? 246 11-4 MOS场效应晶体管的工作原理(3):饱和区 ?/? 248 11-5 迁移率 ?/? 250 11-6 阈值电压 ?/? 253 11-7 亚阈值斜率 ?/? 253 11-8 衬底偏压效应 ?/? 256 章末问题 ?/? 257 集成电路 ?/? 258 12-1 CMOS反相器的结构 ?/? 259 12-2 CMOS反相器中p沟道型MOSFET的工作原理 ?/? 260 12-3 CMOS反相器中p沟道型MOSFET工作原理的 公式推导 ?/? 263 12-4 CMOS反相器工作原理的公式推导 ?/? 264 12-5 CMOS反相器的开关特性 ?/? 266 12-6 等比例缩小 ?/? 268 章末问题 ?/? 271 界面的量子化 ?/? 272 13-1 Si-MOS反型层电子的量子化 ?/? 273 13-2 准二维电子系统的电子状态 ?/? 274 13-3 Si-MOS反型层的电子状态 ?/? 280 13-4 磁场下的二维电子系统和边缘态 ?/? 282 13-5 异质结 ?/? 287 章末问题 ?/? 289 章末问题的答案 ?/? 290 |
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