GaN基宽禁带半导体异质结构具有很高的应用价值，是发展高频、高功率电子器件*优选的半导体材料。本书基于国内外GaN基电子材料和器件的发展现状和趋势，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件研制等方面详细论述了GaN基半导体异质结构和二维电子气的物理性质、国内外发展动态、面临的关键科学技术问题、主要的材料和器件研发成果及其应用情况和发展前景。
本书可作为相关专业高年级本科生和研究生的教学参考用书，可为从事宽禁带半导体电子材料和器件研发及生产的科技工作者、企业工程技术人员提供参考，也可供从事该领域科研和高技术产业管理的企业家和政府官员使用。

第1章半导体异质结构的基本物理性质
1.1半导体材料和半导体异质结构
1.1.1半导体材料的导电类型和晶体结构
1.1.2半导体异质结构界面的晶格失配
1.2半导体异质结构的能带图
1.2.1不考虑界面态的异质结构能带图
1.2.2考虑界面态的异质结构能带图
1.2.3界面渐变异质结构的能带图及Anderson模型的修正
1.3半导体异质结构中的二维电子气
1.3.1异质结构中二维电子气的形成
1.3.2异质结构中二维电子气的基本物理性质
1.4半导体异质结构的电学特性
1.4.1异质结构的电流-电压特性
1.4.2异质结构的势垒电容
1.4.3异质结构的载流子注人特性
参考文献
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