本书共8章，主要内容包括GaN体单晶衬底和Si基GaN外延、横向GaN基HEMT器件及其结构、垂直型GaN基电力电子晶体管、GaN基功率器件的可靠性、GaN基功率器件的鲁棒性验证、寄生效应对GaN基功率转换器的影响、GaN基AC/DC功率转换器、GaN基开关模式功率放大器等。本书内容涵盖范围广，从材料生长到器件制造、从特性分析到鲁棒性验证、从电路设计到系统应用，层次清晰且系统性较强，可读性较高；其内容具有一定的前瞻性与先进性，所涉及的技术领域与工艺水平均为目前国际主流。
本书可作为微电子、电子信息工程、电气工程等专业的本科生以及相关专业的研究生教材，也可以供从事半导体器件设计、器件可靠性分析、电力电子系统开发的工程技术人员参考。

结论
第1章 GaN体单晶衬底和Si基GaN外延
1.1 引言
1.2 GaN体单晶生长技术和衬底技术现状
1.3 GaN的同质外延
1.4 GaN的异质外延
1.5 Ⅲ族氮化物的异质结构
1.6 Ⅲ族氮化物中的压电场
1.7 Ⅲ族氮化物外延技术——金属有机气相外延
1.8 Si基AlGaN/GaN外延结构的构建
1.8.1 成核层
1.8.2 缓冲层
1.8.3 有源层
1.8.4 帽层和表面钝化层
1.9 结论
参考文献
第2章 横向GaN基HEMT器件及其结构
2.1 引言
2.2 常规GaN基HEMT器件
2.3 具有高迁移率的结构
2.4 抑制电流崩塌的结构
2.5 在高压状态下工作的结构
2.6 在常关型状态下工作的结构
参考文献
第3章 垂直型GaN基电力电子晶体管
3.1 引言
3.2 电流孔径垂直电子晶体管（CAVET）
3.2.1 CAVET的工作原理
3.2.2 功率开关中的CAVET
3.3 CAVET的开关特性
3.3.1 制造工艺的讨论
3.3.2 凹槽型CAVET
3.4 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）
3.4.1 基于再生长的MOSFET（OGFET）
3.4.2 OGFET的开关特性
3.5 结论
参考文献
第4章 GaN基功率器件的可靠性
4.1 关态经时退化机制
4.2 p型栅器件的经时失效
4.3 MIS-HEMT结构中正负偏置下的阈值电压不稳定性
4.3.1 MIS-HEMT器件正偏置阈值电压的不稳定性
4.3.2 MIS-HEMT器件负偏置阈值电压的不稳定性
4.3.3 恒定源极电流引起的退化
4.4 结论
参考文献
第5章 GaN基功率器件的鲁棒性验证
5.1 引言
5.1.1 GaN基功率晶体管特有的可靠性问题
5.1.2 GaN基功率晶体管的开关安全工作区（SSOA）
5.2 嵌入式混合漏极结构的栅极注入晶体管（HD-GIT）的可靠性验证
5.2.1 器件的结构
5.2.2 基本可靠性测试
5.2.3 短时间开关安全工作区（sSSOA）的确定
5.2.4 动态高温工作寿命（DHTOL）的测试
5.2.5 长时间开关安全工作区（ISSOA）的确定
5.2.6 短路能力（SCC）的测试
5.3 HD-GIT具有高鲁棒性的物理机制
5.4 结论
参考文献
第6章 寄生效应对GaN基功率转换器的影响
6.1 GaN基功率器件的寄生参数
6.1.1 米勒电荷比
6.1.2 内部栅极电阻
6.1.3 输出电容电荷和二极管反向恢复电荷
6.1.4 特征导通电阻
6.2 GaN封装寄生参数
6.2.1 MOSFET封装演变
6.2.2 直接影响GaN基器件性能的板级寄生参数
6.3 影响工作性能的外部元件及寄生参数
6.3.1 与开关节点相关的寄生电容
6.3.2 自举电源的工作机制和寄生参数
6.4 GaN集成和寄生效应对FOM提升的影响
6.5 结论
参考文献
第7章 GaN基AC/DC功率转换器
7.1 GaN基单相AC/DC转换器
7.1.1 器件直接替代和拓扑简化
7.1.2 建立新的应用和拓扑
7.1.3 面临的挑战与潜在的解决方案
7.2 GaN基三相AC/DC转换器
7.2.1 优势
7.2.2 面临的挑战与潜在的解决方案
7.3 GaN基转换器的散热设计
7.4 结论
参考文献
第8章 GaN基开关模式功率放大器
8.1 引言
8.1.1 概述
8.1.2 “功率放大器”和“逆变器”的背景
8.1.3 设计要素
8.2 基本的逆变器/功率放大器拓扑
8.2.1 D类、DE类“图腾柱”拓扑
8.2.2 单开关逆变器
8.2.3 多开关设计
8.2.4 功率控制技术
8.3 高频磁设计
8.3.1 高频绕组损耗
8.3.2 空磁芯设计
8.3.3 高频磁设计
8.3.4 磁芯设计
8.3.5 变压器和阻抗转换
参考文献