本书围绕先进工艺节点，基于跨导效率的设计方法介绍现代模拟集成电路的分析与设计方法。全书大体上分为三部分：第一部分（第1～7章）对模拟集成电路中的基本器件晶体管，以及基本的分析与设计方法进行介绍，包括晶体管的长沟道模型与小信号模型、晶体管的基本电路结构、晶体管的性能指标、基于跨导效率的模拟电路设计方法、模拟电路的带宽分析方法、模拟电路中的噪声等。第二部分（第8～10章）介绍模拟电路设计中常见的一些问题与设计技巧，如器件偏差、差分结构、负反馈技术等，并引人模拟电路中最常见的电路结构，即运算放大器与开关电容电路。第三部分（第11～14章）详细介绍了运算放大器的分析与设计方法，并提供完整的运算放大器设计实例作为参考。此外，第15章和第16章还介绍了基准源电路以及集成电路的工艺演进。
本书既可作为集成电路设计领域的本科生和研究生教材，也可供相关科研人员和工程技术人员参考。

孙楠，清华大学长聘教授，博士生导师，国家特聘专家。2006年本科毕业于清华大学，2010年博士毕业于哈佛大学。2011年入职美国得克萨斯大学奥斯汀分校，并于2017年获得终身教职。2020年起在清华担任长聘教授。2020年获得IEEE固态电路协会颁发的New Frontier Award，2013年获得美国自然科学基金Career Award。曾任IEEE电路与系统协会和固态电路协会杰出讲师，JSSC、TCAS-I编委，以及ISSCC、CICC和ASSCC的技术委员会成员。担任多家世界知名芯片设计公司的咨询顾问。已培养26名博士生，其中10人在中国、美国知名大学任教，包括Gatech、ASU、北大、成电、西电、西交等。在芯片设计领域顶级期刊JSSC和会议ISSCC发表论文50余篇。

第1章 晶体管的长沟道模型
1.1 MOS晶体管基本工作原理
1.2 晶体管的电压.电流关系
1.3 晶体管工作区的划分
1.4 晶体管本征电容
1.5 晶体管寄生电容
1.5.1 交叠电容
1.5.2 pn结电容
1.5.3 包含寄生电容的晶体管电容模型
1.5.4 阱电容
1.6 背栅效应
1.7 本章小结
第2章 放大器线性化分析
2.1 基于晶体管大信号模型的放大器增益分析
2.2 晶体管的小信号模型
2.2.1 晶体管饱和区小信号模型
2.2.2 晶体管线性区小信号模型
2.3 基于晶体管小信号模型的放大器性能分析
2.4 本章小结
第3章 晶体管基本电路结构
3.1 共源放大器
3.2 共栅放大器
3.2.1 输入-输出特性
3.2.2 输入-输出阳抗
3.3 共源共栅放大器
3.3.1 共源共栅结构对电路增益的改善
3.3.2 共源共栅结构对电路带宽的改善
3.4 共漏放大器
3.4.1 共漏放大器的频响特性
3.4.2 共漏放大器的输入-输出阻抗
3.4.3 共漏极的应用
3.5 电流镜
3.5.1 基本电流镜
3.5.2 共源共栅电流镜
3.5.3 电流镜去耦
3.6 本章小结
第4章 晶体管的性能指标
4.1 跨导效率、特征频率和本征增益的定义
4.1.1 跨导效率的定义
4.1.2 特征频率的定义
4.1.3 本征增益的定义
4.1.4 晶体管性能指标之间的联系
4.2 晶体管性能指标与偏置电压之间的实际关系
4.2.1 跨导效率与过驱动电压的实际关系
4.2.2 特征频率与过驱动电压的关系
4.2.3 本征增益与过驱动电压的关系
4.2.4 漏源电压对晶体管参数的影响
4.3 本章小结
第5章 基于跨导效率的模拟电路设计方法
5.1 传统设计方法及其弊端
5.2 基于跨导效率设计方法及设计实例
5.2.1 设计实例
5.2.2 设计流程总结
5.3 本章小结
第6章 电路带宽分析方法
6.1 带宽分析实例
6.2 密勒近似
6.2.1 密勒近似的基本原理
6.2.2 密勒效应的一般情况
6.2.3 密勒近似的准确性检查
6.2.4 输出负载的影响
6.3 零值时间常数分析
6.3.1 零值时间常数分析的定义
6.3.2 基于零值时间常数分析的带宽估计
……
第7章 噪声
第8章 差分电路
第9章 器件偏差
第10章 负反馈
第11章 运算放大器基础
第12章 开关电容电路
第13章 运算放大器进阶
第14章 运算放大器设计实践
第15章 基准源
第16章 工艺演进对模拟电路的影响
附录A 饱和区晶体管电容容值的推导
附录B 跨容
附录C 工艺演进与设计图表
附录D 仿真方法
参考文献