先进计算光刻(精)技术是集成电制造装备和工艺的核心技术。本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中，建立的先进计算光刻(精)技术，包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等，能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。
高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源，无法最佳匹配实际光刻系统之所需，导致增加工艺选代时间的问题。
本书可供从事光学成像、计算成像、计算光刻、芯片制造工艺、光刻机曝光系统设计-加工-检测-集成协同研制、空间光学、高性能光学仪器等领域的师生、科研人员、工程师、软件开发人员学习。