光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，在模拟半导体、发光二极管、微机电系统、太阳能光伏、微流道和生物芯片、光电子器件/光子器件中都有重要的应用。本书从光刻技术基础知识出发，系统介绍了多种类型光刻胶应用工艺、评测技术。具体包括光刻胶涂布、曝光工艺、曝光后烘烤和显影技术，以及g线和i线光刻胶、KrF和ArF光刻胶、ArF浸没式光刻胶、EUV光刻胶等的特征、应用工艺及评测技术，希望对国内的研究人员有很好的启发和指导意义。

关口淳，1983年毕业于芝浦工业大学工学部应用化学系。进入日本化学科技公司，在其分析研究所工作。1985年加入住友GCA公司。负责光刻胶涂覆和显影装置的工艺开发。此后，负责光刻胶显影分析仪和光刻模拟软件的开发。1993年，参与了LTJ公司的成立，任执行董事，负责光刻胶模拟软件、显影分析仪、虚拟光刻评估系统（VLES）、纳米压印评估设备等的开发。现任纳米科学研究所所长。2000年在东京电机大学获得博士学位（工学）。
2018-2020年 立命馆大学综合科学技术研究机构兼职教授
2020-现在 大阪公立大学大学院工学研究科兼职教授
应用物理学会、电子信息通信学会、电气学会各员。
研究领域：光刻胶特性分析、光刻模拟、纳米压印技术

第1章 光刻技术概述
参考文献
第2章 光刻胶的涂覆
2.1 光刻胶涂覆装置
2.1.1 丝网印刷涂覆法
2.1.2 旋涂法
2.1.3 滚涂法
2.1.4 膜压法
2.1.5 浸涂法
2.1.6 喷涂法
2.2 旋涂工艺
2.2.1 旋涂工艺流程
2.2.2 旋涂工艺影响因素
2.3 HMDS处理
2.3.1 HMDS处理原理
2.3.2 HMDS处理效果
2.4 预烘烤
2.5 膜厚评测
2.5.1 用高低差测量膜厚（数微米～500μm）
2.5.2 光谱反射仪测量膜厚（50nm～300μm）
2.5.3 椭圆偏光计（椭偏计）测量膜厚（1nm～2μm）
参考文献
第3章 曝光技术
3.1 曝光设备概述
3.1.1 接触式对准曝光
3.1.2 近距离对准曝光
3.1.3 镜面投影曝光
3.1.4 缩小的投影曝光系统—步进曝光机
3.2 曝光原理
3.2.1 近距离曝光的光学原理
3.2.2 步进曝光机的光学原理
3.2.3 获得高分辨率的方法
3.3 光刻胶的感光原理和ABC参数
参考文献
第4章 曝光后烘烤（PEB）和显影技术
4.1 曝光后烘烤概述
4.2 PEB中感光剂的热分解
4.3 PEB法测定感光剂扩散长度
4.3.1 通过测量显影速度计算感光剂的扩散长度
4.3.2 结果及分析
4.3.3 小结
4.4 表面难溶性参数的计算及评测
4.4.1 引言
4.4.2 显影速度测量装置的高精度化
4.4.3 表面难溶性参数的计算
4.4.4 表面难溶性参数的测量
4.4.5 小结
4.5 显影技术
4.5.1 浸渍显影
4.5.2 喷雾显影
4.5.3 旋覆浸润显影
4.5.4 缓供液旋覆浸润显影
参考文献
第5章 g线和i线光刻胶（酚醛树脂光刻胶）评测技术
5.1 酚醛树脂光刻胶概述
5.1.1 简介
5.1.2 高分辨率要求
5.2 利用光刻模拟对酚醛树脂光刻胶进行评测
5.2.1 简介
5.2.2 光刻模拟技术
5.2.3 参数的实测和模拟
5.2.4 小结
5.3 利用模拟进行工艺优化
5.3.1 简介
5.3.2 实验与结果
5.3.3 模拟研究
5.3.4 分析与讨论
5.3.5 小结
参考文献
第6章 KrF和ArF光刻胶评测技术
6.1 KrF光刻胶
6.2 化学增幅型光刻胶的脱保护反应
6.2.1 实验装置
6.2.2 传统模型的问题以及对Spence模型的探讨
6.2.3 实验与结果
6.2.4 新脱保护反应模型的提出和对脱保护反应的分析
6.2.5 小结
6.3 曝光过程光刻胶的脱气
6.3.1 利用QCM观察曝光过程光刻胶质量变化
6.3.2 利用GC-MS分析曝光过程光刻胶的脱气
6.3.3 利用FT-IR观察曝光过程的脱保护反应
6.3.4 实验与结果
6.3.5 小结
6.4 ArF光刻胶
6.5 PAG的产酸反应
6.5.1 实验装置
6.5.2 实验与结果
6.5.3 分析与讨论
6.5.4 小结
6.6 ArF光刻胶曝光过程的脱气
6.6.1 脱气收集设备和方法
6.6.2 实验与结果
6.6.3 分析与讨论
6.6.4 小结
6.7 光刻胶在显影过程中的溶胀
6.7.1 实验仪器
6.7.2 减少热冲击
6.7.3 实验与结果
6.7.4 可重复性
6.7.5 TBAH显影剂的溶胀行为
6.7.6 小结
6.8 通过香豆素添加法分析PAG的产酸反应
6.8.1 实验过程
6.8.2 结果和讨论
6.8.3 小结
参考文献
第7章 ArF浸没式光刻胶和双重图形化（DP）工艺评测技术
7.1 ArF浸没式曝光技术
7.2 浸没式曝光过程的评测—水渗入光刻胶膜与感光度变化
7.2.1 浸没式曝光反应分析设备
7.2.2 浸没式曝光的光刻胶材料评测
7.2.3 实验与结果
7.2.4 小结
7.3 浸没式曝光过程的评价—对溶出的评测
7.3.1 WEXA-2系统和采样方法
7.3.2 分析方法
7.3.3 分析系统可靠性验证
7.3.4 实验与结果
7.3.5 小结
7.4 浸没式DP曝光技术
7.4.1 LLE方法
7.4.2 双重图形工艺的评测
7.4.3 小结
参考文献
第8章 EUV光刻胶评测技术
8.1 EUV曝光技术
8.2 利用光刻模拟软件评估EUV光刻胶
8.2.1 系统配置
8.2.2 实验与结果
8.2.3 模拟分析
8.2.4 小结
8.3 EUV光刻胶的脱保护反应
8.3.1 传统方法的问题
8.3.2 与EUVL对应的新型脱保护反应分析装置
8.3.3 实验与结果
8.3.4 小结
8.4 EUV光刻胶脱气评测
8.4.1 脱气评估装置概述
8.4.2 脱气评估装置EUVOM-9000
8.4.3 小结
参考文献
第9章 纳米压印工艺的优化及评测技术
9.1 使用光固化树脂进行纳米压印的工艺优化和评测
9.1.1 简介
9.1.2 实验设备
9.1.3 预曝光工艺（PEP）
9.1.4 实验与结果
9.1.5 预曝光方法的影响
9.1.6 分析与讨论
9.1.7 小结
9.2 使用光和热固化树脂进行纳米压印的工艺优化和评测