本书对微纳制造技术的各个领域都给出了一个全面透彻的介绍，覆盖了集成电路制造所涉及的所有基本单项工艺，包括光刻、等离子体和反应离子刻蚀、离子注入、扩散、氧化、蒸发、气相外延生长、溅射和化学气相淀积等。对每一种单项工艺，不仅介绍了它的物理和化学原理，还描述了用于集成电路制造的工艺设备。本书新增了制作纳米集成电路及其他半导体器件所需的各种基本单项工艺，还介绍了22nm的FinFET器件、氮化镓LED及薄膜太阳能电池、新型微流体器件的制造工艺流程。
本书可作为高等院校微电子、集成电路专业本科生和研究生相关课程的教材或参考书，也可供与集成电路制造工艺技术有关的专业技术人员学习参考。

第1篇 综述与题材
第1章 微电子制造引论
1.1 微电子工艺：一个简单的实例
1.2 单项工艺与工艺技术
1.3 本课程指南
1.4 小结
第2章 半导体衬底
2.1 相图与固溶度°
2.2 结晶学与晶体结构°
2.3 晶体缺陷
2.4 直拉法（Czochralski法）单晶生长
2.5 Bridgman法生长GaAs
2.6 悬浮区熔法及其他单晶生长方法
2.7 晶圆片制备及其规格
2.8 小结与未来发展趋势
习题
参考文献
第2篇 单项工艺I：热处理与离子注入
第3章 扩散
3.1 一维费克扩散方程
3.2 扩散的原子模型
3.3 费克定律的解析解
3.4 常见杂质的扩散系数
3.5 扩散分布的分析
3.6 SiO2中的扩散
3.7 扩散分布的数值模拟
3.8 小结
习题
参考文献
第4章 热氧化
4.1 迪尔-格罗夫氧化模型
4.2 线性与抛物线速率系数
4.3 初始阶段的氧化
4.4 SiO2的结构
4.5 氧化层的特性
4.6 硅衬底及多晶硅氧化过程中掺杂剂的影响
4.7 硅的氮氧化物
4.8 其他可选的栅绝缘层
4.9 氧化系统
4.10 氧化工艺的数值模拟
4.11 小结
习题
参考文献
第5章 离子注入
5.1 理想化的离子注入系统
5.2 库仑散射°
5.3 垂直投影射程
5.4 沟道效应与横向投影射程
5.5 注入损伤
5.6 浅结的形成
5.7 埋层介质
5.8 离子注入系统的问题和关注点
5.9 注入分布的数值模拟
5.10 小结
习题
参考文献
第6章 快速热处理
6.1 灰体辐射、热交换与光吸收
6.2 高强度光源与反应腔设计
6.3 温度的测量
6.4 热塑应力°
6.5 杂质的快速热激活
6.6 介质的快速热处理
6.7 金属硅化物与接触的形成
6.8 其他可选的快速热处理系统
6.9 小结
习题
参考文献
第3篇 单项工艺2：图形转移
第7章 光学光刻
7.1 光学光刻概述
……
第4篇 单项工艺3：薄膜
第5篇 工艺集成
附录Ⅰ 缩写词与常用符号
附录Ⅱ 部分半导体材料的性质
附录Ⅲ 物理常数
附录Ⅳ 单位转换因子
附录Ⅴ 误差函数的一些性质